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安森美半导体拥有广泛的制造工艺组合。补充的前工序服务包括探头和定制短流程晶圆工艺;和补充的后工序服务包括背研(backgrind)、背金(backmetal)、封装、测试及物流。

工艺名称 最少需采用的
多晶硅工艺 (µ)
金属层
数量
晶圆尺寸
(英寸)
工作
电压 (vgs)
第1层金属线间距 非易失性存储器 (nvm) 线性
电容
高压器件
(vds)
n沟道
dmos
p沟道
dmos
双极 传输
特性
其它
器件
0.18 4-6 8 1.8/3.3 0.46 金属-绝缘层-金属(mim) 45/70 金属硅化物 电阻
0.18 4-6 8 5/18 0.46 金属-绝缘层-金属(mim) 18 金属硅化物 电阻
0.18 4-6 8 1.8/5 0.46 金属-绝缘层-金属(mim) 30 金属硅化物 电阻
0.18 4-6 8 1.8/3.3 0.46 金属-绝缘层-金属(mim) 15 金属硅化物 电阻
0.25 2-5 8 2.5/3.3/5 0.64 金属-绝缘层-金属(mim) 5 金属硅化物 混合器件
0.25 2-5 8 5/12 0.64 金属-绝缘层-金属(mim) 40 金属硅化物 混合器件
0.35 3-5 8 3.3/5 1.10 多晶硅-绝缘层-多晶硅(pip) 5 金属硅化物 电阻
0.35 3-5 8 3.3/12 1.00 金属-绝缘层-金属(mim) 18 金属硅化物 电阻
0.35 3-5 6 & 8 3.3 1.00 金属-绝缘层-金属(mim) 40 salicide 混合器件
0.35 3-5 6 & 8 3.3 1.00 金属-绝缘层-金属(mim) 70 金属硅化物 混合器件
0.6 2-3 8 5/12 1.50 多晶硅-绝缘层-多晶硅(pip) 20 多晶硅 混合器件
0.7 2-3 6 5 2.80 多晶硅-绝缘层-多晶硅(pip) 100 多晶硅 混合器件
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