i2t100: 0.7 µm 工艺技术-凯发登录

安森美半导体的智能接口技术 (i2t100)工艺采用0.7 µm cmos混合信号技术,提供100 v能力。多样化的器件及工艺选择结合混合模拟/数字技术及低压、中压和高压电路,提供高度的灵活性。


特性

  • 2至3层金属
  • 浮动nmos及pmos晶体管
  • 低阈值pmos晶体管
  • 中压及高压ndmos晶体管
  • 浮动中压及高压ndmos及pdmos晶体管
  • 低压、中压及高压双极晶体管
  • 齐纳击穿二极管,用于一次性可编程(otp)存储器
  • 中等电阻及高电阻多晶硅电阻
  • 中压及高压浮动电容
  • 深n 掺杂保护环
  • 可选eeprom
  • 高温能力

工艺特性

范围 价值
工作电压 5.0 v
衬底材料 p衬底,双阱
晶体管抽线长度 0.7 µm
门氧化物厚度 17.0/42.0 nm
触点/通孔尺寸 0.8 µm
接触门间距 2.8 µm
顶层金属厚度 900 nm

接触金属间距

范围 价值
第1层金属(触点/通孔) 2.8/2.6 µm
第2层金属(通孔1/通孔2) 3.0/3.6 µm
第3层金属(通孔3) 4.0 µm
金属成分 al/si/cu
隔离 locos
ild 平坦化(planarization) bpsg
imd 平坦化 pecvd/sog

工艺选择范例

范围 掩膜层
2 层金属, nsinker, hipo, capa, 低vt pmos 22
3 层金属, nsinker, hipo, capa, 低vt pmos 24

器件特性

(所有值均是25°c条件下的典型值)

低压晶体管

nmos 晶体管 typical value unit pmos 晶体管 typical value unit 低vt pmos 晶体管 typical value unit
vt (20/0.7, 线性外推) 0.74 v vt (20/0.7, 线性外推) -0.95 v vt (20/0.7, 线性外推) -0.78 v
vmax=vbd 5.5 v vmax=vbd 5.5 v vmax=vbd 5.5 v
ids (20/0.7, vds=vgs= 5 v) 358 µa/µm ids (20/0.7, vds=vgs= 5 v) -176 µa/µm ids (20/0.7, vds=vgs= 5 v) -121 µa/µm

双极晶体管

npn 浮动@ 100 v ae=5 µm² area=3529 µm² typical value unit npn 浮动@ 100 v ae= 49 µm² area=4490 µm² typical value unit
hfe 60 - hfe 40 -
bvceo @ ie=1 µa 25 v bvceo @ ie=1 µa 25 v
bvces min 60 v bvces min 60 v
[email protected]°c 0.3 ma [email protected]°c 2.7 ma
npn 浮动@ 60 v ae= 5 µm² area=1352 µm² typical value unit npn 浮动@ 60 v ae= 19 µm² area=3081 µm² typical value unit
hfe 58 - hfe 45 -
bvceo @ ie=1 µa 25 v bvceo @ ie=1 µa 25 v
bvces min 60 v bvces min 25 v
[email protected]°c 0.96 ma [email protected]°c 1.2 ma
衬底pnp ae= 460 µm² area=2289 µm², 集电极接地 typical value unit
hfe 22 -
bvceo @ ie=1 µa 30 v
vbe 0.57 v
pnp 浮动@ 100 v area=1542 µm² typical value unit
hfe 700 -
bvceo @ ie=1 µa 5.5 v
bvces min 5.5 v
[email protected]°c 0.3 ma
pnp area=5139 µm² typical value unit pnp area=98354 µm² typical value unit
hfe 800 - hfe 880 -
bvceo @ ie=1 µa 25 v bvceo @ ie=1 µa 25 v
bvces min 40 v bvces min 80 v
[email protected]°c 0.3 ma [email protected]°c 0.3 ma

高压晶体管

浮动nmos晶体管@ 100 v typical value unit 浮动pmos晶体管@ 100 v typical value unit
vt (20/0.7, 线性外推) 0.74 v vt (25/0.7, 线性外推) -1.1 v
vmax=vfloat 至p衬底 100 v vmax=vfloat 至p衬底 100 v
vgsmax = vbdmax 5.5 v vgsmax = vbdmax -5.5 v
ids (20/0.7, vd=vg= 5 v) 358 µa/µm ids (25/0.7, vd=vg= 5 v) -160 µa/µm
100 v ndmos typical value unit 30 v ndmos (thin ox) typical value unit 30 v ndmos (thick ox) typical value unit
vt (w=40) 1 v vt (w=40) 0.67 v vt (w=40) 1.03 v
vmax=vbd 100 v vmax=vbd 30 v vmax=vbd 30 v
vgsmax (完整寿命) 12 v vgsmax (完整寿命) 5.5 v vgsmax (完整寿命) 12 v
ids (40/4, vds=40 v, vgs=4.0 v) 1210 µa ids (40/4, vds=20 v, vgs=5.0 v) 4675 µa ids (40/4, vds=15 v, vgs=4.0 v) 1450 µa/µm
ron*w 74 kω*µm ron*w 31.8 kω*µm ron*w 22 kω*µm
ron*area 1532 mω*mm² ron*area 372 mω*mm² ron*area 257 mω*mm²
100 v 自对准浮动 ndmos typical value unit 60 v 自对准浮动ndmos typical value unit 40 v 自对准浮动ndmos typical value unit
vt (w=40) 2.43 v vt (w=40) 2.4 v vt (w=40) 2.43 v
vmax=vbd 95 v vmax=vbd 60 v vmax=vbd 40 v
vgsmax (完整寿命) 12 v vgsmax (完整寿命) 12 v vgsmax (完整寿命) 12 v
ids (40/4, vds=40 v, vgs=4.0 v) 2050 µa/µm ids (40/4, vds=20 v, vgs=5.0 v) 2250 µa/µm ids (40/4, vds=15 v, vgs=4.0 v) 2200 µa/µm
ron*w 33 kω*µm ron*w 17.6 kω*µm ron*w 11.6 kω*µm
ron*area 488 mω*mm² ron*area 153 mω*mm² ron*area 87 mω*mm²
90 v pdmos typical value unit 75 v pdmos typical value unit 40 v pdmos typical value unit
vt (w=40) -1.13 v vt (w=40) -1.13 v vt (w=40) -1.13 v
vmax=vbd -100 v vmax=vbd -75 v vmax=vbd -40 v
vgsmax (完整寿命) 12 v vgsmax (完整寿命) 12 v vgsmax (完整寿命) 12 v
ids (40/4, vds=40 v, vgs=4.0 v) 980 µa/µm ids (40/4, vds=20 v, vgs=5.0 v) 1125 µa/µm ids (40/4, vds=15 v, vgs=4.0 v) 1175 µa/µm
ron*w 77 kω*µm ron*w 59 kω*µm ron*w 45 kω*µm
ron*area 1050 mω*mm² ron*area 596 mω*mm² ron*area 380 mω*mm²
100 v 耗尽型pdmos typical value unit
vmax=vbd -100 v
|vgsmax| (完整寿命) 5.5 v
ids (40/3, vds=-40 v, vgs=0 v) 180 µa/µm
60 v power-kit ndmos (优化用于开关应用) typical value unit 40 v power-kit ndmos (优化用于开关应用) typical value unit
vt (w=40) 2.45 v vt (w=40) 2.45 v
vmax=vbd 60 v vmax=vbd 40 v
vgsmax (完整寿命) 12 v vgsmax (完整寿命) 12 v
ids (40/4, vds=40 v, vgs=4.0 v) 2200 µa/µm ids (40/4, vds=20 v, vgs=5.0 v) 2350 µa/µm
ron*w 18 kω*µm ron*w 11.3 kω*µm
ron*area 115 mω*mm² ron*area 65 mω*mm²

二极管

多晶硅二极管参数,w=2.2 µm typical value unit 90 v浮动高压二极管 area=6432 µm² typical value unit 齐纳二极管最小的二极管 (3784 µm²) typical value unit
bv 6.76 v bv 90 v bv 9.5 v
imax (2.2 µm) ~300 µa isub/ia (ia=2.4 ma) ~2 % ron in vbd mode 1560 ω
ileak (2.2 µm) @-5 v ~90 µa

电容(参数@ 25°c)

多晶硅/薄门氧化物/n [capa] typical value unit 多晶硅/多晶硅(中压浮动) typical value unit 第1层金属/多晶硅/第2层金属(高压浮动) typical value unit
cplate 0.75 ff/µm² cplate 0.36 ff/µm² cplate 0.075 ff/µm²
vbd_max (完整寿命) 15 v vbd_max (完整寿命) 30 v vbd_max (完整寿命) 100 v

电阻

电阻类型 typical value unit
高电阻多晶硅[hipo] 1825 ω/square
中等电阻多晶硅[mopo] 190 ω/square
低电阻多晶硅 [lopo] 27 ω/square
n-阱 1000 ω/square
ntup中的pbody扩散 1250 ω/square
n阱中p 扩散 67.5 ω/square
p阱中n 扩散 96 ω/square

数字设计标准单元内核库
synopsys design compiler
pn sum: 5.7 µm
双输入nand面积(na21): 207 µm²
门密度(na21 @ 100%利用率): 4.831 k 门/mm²
扫描触发密度(扫描触发@ 100%利用率): 0.5574 k ff/mm²
平均能耗(@ 5.0 v): 2.32 µw/mhz/门

cad 工具兼容性

数字设计
synopsys design compiler
cadence verilog
模拟设计
cadence dfii (4.4.6)
spectre
布局及布线
synopsys apollo
cadence silicon ensemble
物理验证
mentor calibre

更多信息请联系您的.

your request has been submitted for approval.
please allow 2-5 business days for a response.
you will receive an email when your request is approved.
request for this document already exists and is waiting for approval.