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这些产品平衡 vce(sat)和 eoff损耗以及可控的关断 vce过冲,提供最佳性能。 它们还以正温度系数、低饱和电压 (vce(sat))、极低的开关和导通损耗以及快速开关提供极高的可靠性和性能。 它们非常适合高性能电源转换应用,甚至经过设计和认证,适用于汽车和工业应用。

产品系列

电动车主驱逆变器igbt

第三代场截止igbt用于电动车主驱逆变器应用

汽车igbt

用于汽车应用的产品

非汽车级igbt

用于非汽车应用的产品

ve-trac芯片,裸芯

用于汽车应用的裸芯

ecospark 1, 2, 3 igbt

优化用于在汽车点火系统的恶劣环境中驱动线圈。

阳极短路igbt

提供卓越的导通和开关性能用于软开关应用。

特色新品

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afghl75t65sqdc

带sic共封装二极管的igbt

offers the optimum performance with both low conduction and switching losses for high efficiency operations.

afgy100t65spd

适用于电动车主驱逆变器应用的igbt - 650 v 100 a fs3

offers low vce(sat) voltage and tight parameter distribution.

afgy120t65spd

适用于电动车主驱逆变器应用的igbt - 650 v 120 a fs3

offers very low conduction and switching losses for a high efficiency operation.

相关资源

应用注释

阅读igbt数据表

绝缘栅双极型晶体管是功率开关,非常适用于高功率应用,如电机控制、不间断电源 (ups)和太阳能逆变器以及感应加热。如果能很好地理解应用要求,就可以很容易地从制造商的数据表中提供的电气特性中选择正确的igbt。本应用注释记述了igbt数据表中提供的电气参数。

应用注释

igbt可靠性和质量

在当今的半导体市场中,公司成功的两个重要因素是产品质量和可靠性。 两者是相互关联的——可靠性是在产品的预期寿命内延长的质量。 任何制造商要想继续经营,他们的产品必须达到和/或超过基本的质量和可靠性标准。

应用注释

门极-发射极电压对导通损耗和短路能力的影响

本应用注释描述了栅极-发射极电压对 igbt 器件性能的一些影响。 与 mosfet 和 bjt 不同,igbt 的栅极-发射极电源电压的大小对器件的性能有更显著的影响。 栅极-发射极电压的大小会影响器件的导通损耗和抗短路能力。

应用注释

电机控制igbt和续流二极管

在电机控制环境中使用 igbt 需要几个属性,可以分为两类。 短路额定值和 安全工作区 (soa) 是器件鲁棒性的指标。 导通和开关能量损耗是衡量器件能效的指标。 本应用注释将研究 igbt 和续流二极管,并展示损耗和耐用性问题如何影响电机驱动应用的 igbt 选择。

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电动车由功率模块ve-trac direct和ve-trac dual驱动

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